반도체
다양한 분야에서 축적된 경험으로 최고의 가치를 제공합니다.SOC / SOH (Spin on Carbon Hardmask, 스핀코팅 하드마스크)
| a-Carbon Layer (기존 하드마스크) | HT-SOC | LT-SOC | |
|---|---|---|---|
| 공정 | CVD 증착 방식 | Spin coating 방식 | Spin coating 방식 |
| 용도 | DRAM, Logic 등 전반적인 반도체 제조 공정적용 | DRAM, NAND 반도체 제조용 | Logic 반도체 제조용 |
| 적용 구조 | Quad-Layer(a-Carbon / SiON / BARC / PR) | Quad-Layer(HT-SOC / SiON / BARC / PR) | Tri-Layer(LT-SOC / Si-ARC / PR) |
| 공정 온도 |
증착 온도별 분류 VHT : 650℃ / HT : 550 ℃ / MT : 400℃ / LT : 300℃ |
400℃ Bake 공정 | 250℃ Bake 공정 |
| 평탄화 | 단차 완화 불리 | 단차 완화 가능 | 단차 완화 가능 |
| Gap-Fill | 패턴 Gap-Fill 불리, Void 발생 | Gap-Fill 가능 | Gap-Fill 가능 |
| Etch 특성 | Etch 내성 우수 | 증착막 대비 내성 낮음 | HT-SOC 대비 내성 낮음 |
| 분류 | 물성 조절을 위해 Dopant 사용 | 평탄화 특성 강화, Etch 특성 강화, 내화학 특성 강화 등 특징별 제품군 분류 | |
HT-SOC (고온용 스핀 코팅 하드마스크)
제품 소개
스핀 코팅용 유기재료로서 우수한 열안정성으로 기존 Amorphous carbon layer(ACL)를 대체하기 위한 반도체 하드마스크 재료주요 용도
400℃의 고온 공정을 요구하는 반도체 하드마스크 재료 스핀 코팅 공정에 적용하여 증착 방식의 ACL을 대체하는 재료| 제품군 | 세부구분 | 주요특징 |
|---|---|---|
| HT-SOC | 고온 SOC |
- 기존 세대 SOC 제품, a-Carbon layer(ACL) 대체 소재 - 400℃ 공정 내열성 - 우수한 코팅균일도, 우수한 용해도 |
| 고평탄화 SOC |
- 기존 세대 SOC 대비 평탄화 특성 강화 제품 - 단차 완화 및 Gap-Fill 특성 강화 - 단차 개선을 통해 Mask Revision 및 OPC skip, 공정 마진 개선 |
|
| 고선택비 SOC |
- 기존 세대 SOC 대비 Etch 내성 강화 제품 - Fume 최소화 및 높은 Carbon 함량 - 높은 Etch 내성을 통해 ACL 대체 및 공정 마진 향상 |
|
| 내화학성 SOC |
- 기존 세대 SOC 대비 내화학 특성강화 제품 - 높은 Carbon 함량 및 Etch 내성 강화 - 불산 내성을 통한 불산 세정 시 패턴 Collapse 방지 |
|
| Thick SOC |
- 기존 세대 SOC 대비 고두께 코팅성 강화 제품 - 높은 단차에 적용되는 NAND 메모리 제조용도 - 8000Å 이상 두께 구현가능 |
주요 SOC 제품 공정 비교
DLT(저온 스핀 코팅 하드마스크)
제품 소개
스핀 코팅용 유기재료로서 균일한 코팅성을 가지며 저온(250℃)에서 가교가 가능한 Amorphous carbon layer(ACL) 대체 위한 반도체 하드마스크 재료주요 용도
Logic 반도체 제조공정에서 Tri-layer 하드마스크 리소그래피 공정을 위한 하드마스크 재료 250℃ 저온 가교 공정을 타겟으로 하는 하드마스크 재료주요 특징
- 250℃ 저온 가교 성능
- 우수한 코팅 균일도
- 단차 완화 및 Gap-Fill 효과
- 코팅 방식 적용에 따른 생산성 향상
O-BARC(Organic-Bottom Anti Reflective Coating, 유기-반사방지막)
제품 소개
스핀 코팅용 유기재료로서 리소그래피 공정에서 하부층의 반사광을 차단하여 패턴의 손상을 줄이는 반도체 공정 재료주요 용도
포토레지스트 미세 패턴 형성을 위해 레지스트 하부에 적용되는 반사방지막 재료 공정에 따라 특정 굴절률과 특정 흡광계수를 갖는 소재 높은 패턴 해상력으로 CD margin 향상주요 특징
- 적용 레지스트에 적합한 특정 굴절률과 흡광계수
- 우수한 Etch rate
- Standing wave 제어
- 패턴 공정 마진 향상
- 레지스트와의 intermixing 없음
- 넓은 레지스트 호환성
제품군
| Type | Optical properties | ||
|---|---|---|---|
| n | k | Thickness | |
| High n | 1.91 ~ 1.99 | 0.20 ~ 0.28 | 150 ~ 300Å |
| Middle n | 1.81 ~ 1.85 | 0.30 ~ 0.35 | 300 ~ 1200Å |
| Low n | 1.61 ~ 1.71 | 0.05 ~ 0.23 | 500 ~ 1050Å |
| High k | 1.79 ~ 1.83 | 0.32 ~ 0.41 | 300 ~ 1050Å |
Si-ARC (Silicon 반사방지막)
제품 소개
스핀 코팅용 Si 포함재료로서 리소그래피 공정에서 하부층의 반사광을 차단하여 패턴의 손상을 줄이는 반도체 공정 재료주요 용도
Logic 반도체 제조공정에서 Tri-layer 하드마스크 리소그래피 공정을 위한 반사방지막 재료포토레지스트 하부층에 적용되어 특정 굴절률과 특정 흡광계수를 갖는 소재 높은 패턴 해상력으로 CD margin 향상
주요 특징
- 적용 레지스트에 적합한 특정 굴절률과 흡광계수
- SiON 증착 반사방지막 및 OBARC의 통합
- 우수한 Etch rate
- Standing wave 제어
- 패턴 공정 마진 향상
- 레지스트와의 intermixing 없음
- 넓은 레지스트 호환성
제품군
| Type | Optical properties | ||
|---|---|---|---|
| n | k | Thickness | |
| ArF Si-ARC | 1.63 ~ 1.73 | 0.14 ~ 0.23 | 300 ~ 500Å |
| KrF Si-ARC | 1.40 ~ 1.50 | 0.35 ~ 0.45 | 1500 ~ 2000Å |
